3LN01C-TB-E

参考单价:暂无

厂商品牌:ON Semiconductor

厂商型号
3LN01C-TB-E
封装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
参数
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-04 16:04
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3LN01C-TB-E详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 带卷(TR) 
零件状态 停產
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.7 欧姆 @ 80mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.58nC @ 10V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-CP
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本零件编号 3LN01