IPD031N03M G

参考单价:暂无

厂商品牌:Infineon Technologies

厂商型号
IPD031N03M G
封装
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
参数
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-05 16:23
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IPD031N03M G详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS?
包装 剪切带(CT) 
零件状态 Digi-Key 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.1 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5300pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63