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类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
---|---|---|
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | ||
制造商 | Texas Instruments | |
系列 | - | |
包装 | 带卷(TR) | |
零件状态 | 有源 | |
FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) | |
FET 功能 | 标准 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Ta) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 25A,5V,1.1 毫欧 @ 25A,5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250μA,1.6V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 10.7nC,25nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1870pF,4000pF @ 12.5V | |
功率 - 最大值 | 13W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerLDFN | |
供应商器件封装 | 8-LSON(5x6) | |
基本零件编号 | CSD8635 |