CSD86350Q5DT

参考单价:暂无

厂商品牌:Texas Instruments

厂商型号
CSD86350Q5DT
封装
8-PowerLDFN
参数
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
250
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-05 16:28
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CSD86350Q5DT详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Texas Instruments
系列 -
包装 带卷(TR) 
零件状态 有源
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 25A,5V,1.1 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA,1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.7nC,25nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1870pF,4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值 13W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerLDFN
供应商器件封装 8-LSON(5x6)
基本零件编号 CSD8635