参考单价:暂无
厂商品牌:Infineon Technologies
面议
面议
面议
面议
¥2522.08/
面议
类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
---|---|---|
晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | OptiMOS? | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | Digi-Key 停产 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 7.4 毫欧 @ 80A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 40μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 56nC @ 10V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4500pF @ 25V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 79W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 | |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA |