参考单价：￥ 549.42(仅参考)
厂商品牌：Infineon Technologies
58216231
58216231
| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | CoolSiC?+ | |
| 包装 | 托盘 | |
| 零件状态 | 有源 | |
| FET 类型 | 6 N-沟道（3 相桥） | |
| FET 功能 | 碳化硅 （SiC） | |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tj） | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 25A，15V（标准） | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.55V @ 10mA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 62nC @ 15V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1840pF @ 800V | |
| 功率 - 最大值 | 20mW（Tc） | |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 底座安装 | |
| 封装/外壳 | 模块 | |
| 供应商器件封装 | AG-EASY1BM-2 |
