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类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - IGBT - 模块 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | - | |
包装 | 散装 | |
零件状态 | 有源 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 三相反相器 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 35A | |
功率 - 最大值 | 210W | |
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 2.25V @ 15V,35A | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1mA | |
不同?Vce 时输入电容 (Cies) | 2nF @ 25V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 是 | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 |