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厂商品牌：Infineon Technologies
58216231
58216231
| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - IGBT - 模块 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 托盘 | |
| 零件状态 | 有源 | |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
| 配置 | 全桥 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V | |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200A | |
| 功率 - 最大值 | 515W | |
| 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，100A | |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1mA | |
| 不同?Vce 时输入电容 (Cies) | 6.3nF @ 25V | |
| 输入 | 标准 | |
| NTC 热敏电阻 | 是 | |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C | |
| 安装类型 | 底座安装 | |
| 封装/外壳 | 模块 | |
| 供应商器件封装 | 模块 |
