IPG20N04S4L07ATMA1

参考单价:¥ 8.27(仅参考)

厂商品牌:Infineon Technologies

厂商型号
IPG20N04S4L07ATMA1
封装
8-PowerVDFN
参数
MOSFET 2N-CH 8TDSON
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
4517
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-05 16:44
我要询价
北京销售部
  • 电话:010-6608 0588
  • 手机:18518250886
  • QQ:

    58216231

  • 在线:点击这里给我发消息
河北销售部
  • 电话:0310-2886222
  • 手机:18631015150
  • QQ:

    58216231

  • 在线:点击这里给我发消息
热卖推荐

EEF-UE0E271ER

面议

STM32F415OGY6TR

¥98.29/

LM3S1F16-IQR80-A2

面议

STGB6NC60HT4

¥14.91/

TPS65161EVM-194

¥487.36/

ERJ-S12D3900U

面议

IPG20N04S4L07ATMA1详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
包装 剪切带(CT) 
零件状态 有源
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.2 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 30μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3980pF @ 25V
功率 - 最大值 65W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-4