IPG20N10S436AATMA1

参考单价:¥ 6.94(仅参考)

厂商品牌:Infineon Technologies

厂商型号
IPG20N10S436AATMA1
封装
8-PowerVDFN
参数
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
4100
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-05 16:44
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IPG20N10S436AATMA1详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
包装 剪切带(CT) 
零件状态 有源
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 36 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 16μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 990pF @ 25V
功率 - 最大值 43W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装,可润湿侧翼
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-10