BSO615NGHUMA1

参考单价:暂无

厂商品牌:Infineon Technologies

厂商型号
BSO615NGHUMA1
封装
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
参数
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-05 16:47
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BSO615NGHUMA1详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS?
包装 剪切带(CT) 
零件状态 停產
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 380pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 PG-DSO-8
基本零件编号 BSO615