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类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ||
制造商 | Nexperia USA Inc. | |
系列 | - | |
包装 | 剪切带(CT) | |
零件状态 | 有源 | |
FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.2V,4.5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 447 毫欧 @ 1.2A,4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 2.3nC @ 4.5V | |
Vgs(最大值) | ±8V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 116pF @ 10V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 360mW(Ta),5.68W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | DFN1010D-3 | |
封装/外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |