类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | ||
制造商 | ON Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停產 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A(Ta),32A(Tc) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.4 毫欧 @ 30A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 16nC @ 5V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1400pF @ 20V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta),50W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | I-PAK | |
封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak | |
基本零件编号 | NTD65 |