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类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
---|---|---|
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ||
制造商 | ON Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 有源 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1300V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 60A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 150A | |
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,30A | |
功率 - 最大值 | 348W | |
开关能量 | - | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 78nC | |
25°C 时 Td(开/关)值 | - | |
测试条件 | - | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | |
供应商器件封装 | TO-3PN | |
基本零件编号 | FGA30 |