HGTD1N120BNS9A

参考单价:暂无

厂商品牌:ON Semiconductor

厂商型号
HGTD1N120BNS9A
封装
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
参数
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-04 16:50
我要询价
北京销售部
  • 电话:010-6608 0588
  • 手机:18518250886
  • QQ:

    58216231

  • 在线:点击这里给我发消息
河北销售部
  • 电话:0310-2886222
  • 手机:18631015150
  • QQ:

    58216231

  • 在线:点击这里给我发消息
热卖推荐

ERA-6EEB2671V

面议

AMC1311BQDWVRQ1

¥11.88/

ECW-FD2J185JC

面议

ERZ-VF2M391

¥12.17/

SN74HC04PWR

¥0.60/

PESD3V3Z1BCSFYL

面议

HGTD1N120BNS9A详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 剪切带(CT) 
零件状态 有源
IGBT 类型 NPT
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5.3A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 6A
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) 2.9V @ 15V,1A
功率 - 最大值 60W
开关能量 70μJ(开),90μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 14nC
25°C 时 Td(开/关)值 15ns/67ns
测试条件 960V,1A,82 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装 TO-252AA
基本零件编号 HGTD1N120