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厂商品牌:ON Semiconductor
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类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
---|---|---|
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ||
制造商 | ON Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 剪切带(CT) | |
零件状态 | 有源 | |
IGBT 类型 | NPT | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5.3A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 6A | |
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 2.9V @ 15V,1A | |
功率 - 最大值 | 60W | |
开关能量 | 70μJ(开),90μJ(关) | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 14nC | |
25°C 时 Td(开/关)值 | 15ns/67ns | |
测试条件 | 960V,1A,82 欧姆,15V | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | |
供应商器件封装 | TO-252AA | |
基本零件编号 | HGTD1N120 |