面议
¥271.82/
面议
面议
¥0.03/
面议
类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
---|---|---|
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ||
制造商 | ON Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 不適用於新設計 | |
IGBT 类型 | 沟道 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 330V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 180A | |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 450A | |
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) | 1.4V @ 15V,40A | |
功率 - 最大值 | 390W | |
开关能量 | - | |
输入类型 | 标准 | |
栅极电荷 | 169nC | |
25°C 时 Td(开/关)值 | - | |
测试条件 | - | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 通孔 | |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 | |
供应商器件封装 | TO-3P | |
基本零件编号 | FGA18 |