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厂商品牌：ON Semiconductor
58216231
58216231
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| 类型 | 描述 | |
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | |
| 系列 | - | |
| 包装 | 管件 | |
| 零件状态 | 停產 | |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V | |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80A | |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 320A | |
| 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.35V @ 15V，40A | |
| 功率 - 最大值 | 260W | |
| 开关能量 | 1.4mJ（关） | |
| 输入类型 | 标准 | |
| 栅极电荷 | 420nC | |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | -/360ns | |
| 测试条件 | 600V，40A，10 欧姆，15V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | |
| 供应商器件封装 | TO-247 | |
| 基本零件编号 | NGTB40 |
