STB37N60DM2AG

参考单价:¥ 38.23(仅参考)

厂商品牌:STMicroelectronics

厂商型号
STB37N60DM2AG
封装
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
参数
MOSFET N-CH 600V 28A
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
7
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-06 16:37
我要询价
北京销售部
  • 电话:010-6608 0588
  • 手机:18518250886
  • QQ:

    58216231

  • 在线:点击这里给我发消息
河北销售部
  • 电话:0310-2886222
  • 手机:18631015150
  • QQ:

    58216231

  • 在线:点击这里给我发消息
热卖推荐

MCR18ERTJ244

面议

EET-HC2S331EA

面议

D38999/27HD97XD

面议

YACT26JG11JD-61490

面议

MCR18ERTF6981

面议

L6374FP013TR

¥66.39/

STB37N60DM2AG详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 STMicroelectronics
系列 Automotive, AEC-Q101, MDmesh? DM2
包装 Digi-Reel? 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2400pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 210W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本零件编号 STB37N