A1P50S65M2

参考单价:¥ 311.96(仅参考)

厂商品牌:STMicroelectronics

厂商型号
A1P50S65M2
封装
模块
参数
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
57
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-06 16:37
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A1P50S65M2详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 托盘 
零件状态 有源
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值) 650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50A
功率 - 最大值 208W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值) 100μA
不同?Vce 时输入电容 (Cies) 4150pF @ 25V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 ACEPACK? 1
基本零件编号 A1P50S65