RJP020N06T100

参考单价:¥ 2.68(仅参考)

厂商品牌:Rohm Semiconductor

厂商型号
RJP020N06T100
封装
TO-243AA
参数
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
13442
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-07 16:35
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RJP020N06T100详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 剪切带(CT) 
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 240 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 4V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 160pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 MPT3
封装/外壳 TO-243AA