RQ3L090GNTB

参考单价:¥ 3.85(仅参考)

厂商品牌:Rohm Semiconductor

厂商型号
RQ3L090GNTB
封装
8-PowerVDFN
参数
NCH 60V 30A MIDDLE POWER MOSFET
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
3748
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-07 16:35
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RQ3L090GNTB详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 剪切带(CT) 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Ta),30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 13.9mOhm @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 300μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 24.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1260pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-HSMT(3.2x3)
封装/外壳 8-PowerVDFN