RW1A013ZPT2R

参考单价:暂无

厂商品牌:Rohm Semiconductor

厂商型号
RW1A013ZPT2R
封装
SOT-563,SOT-666
参数
MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-07 16:40
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RW1A013ZPT2R详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 带卷(TR) 
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 290pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 400mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-WEMT
封装/外壳 SOT-563,SOT-666