RQ3E180BNTB

参考单价:¥ 1.73(仅参考)

厂商品牌:Rohm Semiconductor

厂商型号
RQ3E180BNTB
封装
8-PowerVDFN
参数
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
1010
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-07 16:40
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RQ3E180BNTB详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 Digi-Reel? 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 39A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 37nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3500pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta),20W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-HSMT(3.2x3)
封装/外壳 8-PowerVDFN