RDN100N20FU6

参考单价:暂无

厂商品牌:Rohm Semiconductor

厂商型号
RDN100N20FU6
封装
TO-220-3 整包
参数
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
期货周期
可订期货,交期6-8周,详询客服
现货库存
供货交期
国内库存3天,海外库存14天
最后更新
2021-01-07 16:40
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¥70.27/

RDN100N20FU6详细参数
类型 描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 散装 
零件状态 停產
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 543pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 35W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FN
封装/外壳 TO-220-3 整包