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类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
---|---|---|
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | ||
制造商 | Rohm Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 带卷(TR) | |
零件状态 | 有源 | |
FET 类型 | 2 N-通道(双) | |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 100μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7.1pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 120mW | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 | |
供应商器件封装 | VMT6 |