类型 | 描述 | |
类别 | 分立半导体产品 | |
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | ||
制造商 | Rohm Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 带卷(TR) | |
零件状态 | 不適用於新設計 | |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 30V,20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA,200mA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 欧姆 @ 10mA,4V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - | |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 0.9nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13pF @ 5V | |
功率 - 最大值 | 150mW | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | |
供应商器件封装 | EMT6 | |
基本零件编号 | 6M1 |